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中国领衔!五国联合团队发现了一种新的拓扑自旋结构
发布时间:2021-02-10 07:55 来源:

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磁体系中的凯发3333k8拓扑自旋结构展现了奇特的物理特性,并在信息存储和处理中有潜在的使用。最基本和典型的拓扑自旋结构被称为斯格明子(skyrmion),它是一种纳米级的圆形畴壁,带有非零整数拓扑电荷。

磁性材料中的斯格明子织构是在20世纪80年代末从理论上猜测的,十年前在手性磁体中进行了试验调查。

在我国、日本、澳大利亚、俄罗斯和法国的一个世界团队最近展开的一项理论工作中,介绍了一种新的拓扑自旋结构,称为双自旋结构,存在于具有平面磁化效果的磁体中。它是笔直磁化磁体中斯格明子纹路(skyrmionium)的拓扑对应物,能够看作是两个带相反拓扑电荷的双质子的组合。因而,双质子带有零的拓扑电荷,就像斯格明子纹路相同。

该联合团队研讨了安稳在磁性单层中的双东床纹路(bimeronium)。他们发现,在某些条件下,受抑的双东床纹路能够被相似阻尼的自旋轨迹扭矩驱动到安稳的自转状况。这项研讨标明,双东床纹路有或许被外部影响操控,这意味着它能够用作自旋电子构件。

参加该研讨的我国高校包含深圳香港中文大学(CUHKSZ)和四川师范大学,海外院校包含日本东京大学、澳大利亚新南威尔士大学、俄罗斯莫斯科国立科技大学、法国巴黎大学和日本信州大学。

该研讨结果宣布已于《使用物理快报》(Applied Physics Letters)。

编译/前瞻经济学人APP资讯组

论文链接:

https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0034396